报告人：刘要稳 教授

     同济大学物理科学与工程学院

报告时间：2018年11月7日 下午  4:00

报告地点：知新楼C座702量子报告厅

邀请人：颜世申 教授

报告摘要：

在自旋转矩（STT）效应发现20周年之际，随着STT-MRAM存储器研发成功和逐步市场化，STT效应的第二个应用——“自旋转矩纳米振荡器（STNO）”引起学术界和工业界的特别关注。本文将介绍本课题组在自旋振荡器方面的一些近期工作，主要研究了两类STNO：其一是自由层和极化层相互垂直的Perp-STNO振荡器【1】，我们发展了一个“类单摆”理论模型来描述，并研究了多个Perp-STNO的串并联同步问题，以及采用电场辅助下频率键控（FSK）的调制。其二是研究了基于磁滴子(droplet)型STNO的动力学特性【2】，包括droplet边缘自旋波激发模式、磁滴子的融合问题、同步问题等。

[1] Hao-Hsuan Chen, et al, RRB 93, 224410(2016)；JAP 121, 013902 (2017); JMMM. 452, 458 (2018)；

[2] Dun Xiao, et al., PRB 93, 094431(2016); PRB, 95, 024106 (2017).

报告人简介：

刘要稳, 1971年出生，同济大学教授。2000年在兰州大学获博士学位。IEEE高级会员,中国电子学会应用磁学分会委员；SPIN杂志的编委（2014年起）；JMMM杂志的顾问编委(2020-2012年)。主要从事微磁学和自旋电子学领域的相关研究，发表论文80余篇，学术影响h-index=16。目前的研究兴趣包括自旋转矩效应、自旋轨道转矩效应、自旋阀和隧道结磁电阻存储材料及其器件机理和优化设计等。