报告人：吴梦昊 教授

报告题目：二维铁电/铁弹/多铁材料设计

报告时间：2019年8月22日（周四）下午2：00

报告地点：知新楼C座C1011室

邀请人：马衍东 教授

报告摘要：

具有高迁移率的二维材料有望取代硅材料成为新一代电路基本材料，但要使其兼具信息非易失性记忆功能则需要加入铁性(铁磁,铁电,铁弹)，也可解决硅基内存进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热问题。目前的多数铁磁性二维材料居里温度难以达到室温，而二维材料的铁电性和铁弹性在之前鲜有相关研究。自2013年预测出第一个二维范德华铁电体以来，报告人通过第一性原理计算已陆续设计出一系列二维铁电/铁弹/多铁体，并有部分得到实验证实，其中不少同时是高迁移率半导体，且在低维仍具有较高居里温度，因而有望绕开铁磁性二维材料面临的问题。相比传统铁电体，二维铁电体有望和半导体电路更好地结合。二维版的各种多铁耦合，多铁隧穿结等器件也得到了预测和设计，其性能甚至有望超过三维的版本。

报告人简介：

吴梦昊教授，男，2007年本科毕业于南京大学，2011年博士毕业于内布拉斯加大学林肯分校，之后三年分别在弗吉尼亚联邦大学和麻省理工学院从事博士后研究，2014年年底成为华中科技大学物理学院教授，目前主要研究方向为二维铁电/多铁体的理论计算。