电控二维磁振子阀与磁振子只读存储器

发布日期:2022-05-09

报告题目:电控二维磁振子阀与磁振子只读存储器

报告人:陈剑豪 研究员,北京大学 物理学院


时间:2022年5月11日(星期三) 下午16:00

报告方式:腾讯会议:118-414-754

邀请人:王以林 教授、陈延学教授

报告摘要

近年来,低维材料体系已在很多方面展示了其丰富的物性和广阔的应用前景,其中低维磁有序材料是相对较新的家族,自发现至今一直广受关注。对低维磁有序材料的大量研究集中在其静态磁结构,包括薄膜和异质结的性能,对其自旋激发的研究主要集中在谱学手段;二维磁振子这种在强限域条件下的自旋激发集合态,其激发、传播、调控以及可能的应用还是一个较少被探索的领域,也是本报告介绍的重点。我们发现面内各向同性的范德瓦尔斯反铁磁绝缘体MnPS3中的磁振子有巨大的电调控性,来源于二维磁振子输运过程中的高度非线性。利用这些可调控性,我们制备了首个电控的二维磁振子阀并实现了扩散型磁振子非门逻辑。此外,我们发现面内各向异性的范德瓦尔斯反铁磁绝缘体CrPS4中的磁振子除了具备与MnPS3中磁振子类似的巨大电调控性以外,还具有电调控的磁振子输运各向异性,其在<010><100>方向的自旋输运各向异性比率可以从各向同性调控至高达2,500,000%(极高各向异性)。利用这种特性,我们制备展示了首个基于磁振子各向异性的只读存储器。这些结果表明范德瓦尔斯反铁磁绝缘体是研究自旋波物理及未来磁振子信息技术应用的一类优秀材料。

报告人简介

陈剑豪为北京大学量子材料科学中心研究员、微纳器件物理与化学教育部重点实验室副主任、北京量子信息科学研究院综合测试平台负责人,科技部国家重点研发计划项目负责人、北京市杰青。曾任科技部国家重点研发计划项目答辩评审专家与项目综合绩效评审专家。主要研究方向为低维电子材料及纳米器件的物理与应用,原子尺度上的材料物性调控,以及超高真空条件下的原位输运表征。至今在Nature子刊、Physical Review Letters等刊物发表50余篇论文,SCI总引用超过7300次。现为National Science Review学科编辑,并为Nature系列、APS系列、Wiley系列、IOP系列和IEEE系列杂志审稿人。



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