报告人：孔向阳 教授
单位：上海交通大学
时间：2025年11月20日（星期四）上午9:00-11:00
地点：知新楼C座七楼量子报告厅
邀请人：王春明
摘要：
在纳米尺度下，设计与构筑超高载流子迁移率与负电容界面，获得突破玻尔兹曼极限并实现超低功耗晶体管，被认为最具发展潜力的未来器件。采用原子层沉积工艺，研制厚度可控在1~5nm的薄膜以及可控界面，将具有高迁移率的Li+引入界面获得二维离子气。在垂直低工作电压下，控制Li+在界面的扩散，诱导界面极化，实现稳态负电容效应。利用此技术，研制负电容晶体管（NC-FET），展示其铁电存储性能。
报告人简介：
孔向阳，上海交通大学特聘教授，博士生导师。1999年获上海交通大学博士学位，2002年获上海市科技启明星，2005年获国家杰出青年基金，2008年获国务院特殊津贴。曾在美国佐治亚理工学院、密歇根大学、德国KIT、Juelich研究中心、英国谢菲尔德大学以及澳大利亚国立大学作访问教授。在权威专业杂志上发表论文150余篇，国际国内邀请报告近100次，授权发明专利22件。在纳米材料的可控合成与结构表征、以及新能源材料的基础研究与开发应用有广泛的影响力。
