[1] 磁性增强的H掺杂MnGe磁性半导体薄膜，专利号ZL200810014729.9，授权日2010年6月9日，发明人 颜世申、姚新欣、乔瑞敏、秦羽丰、孙毅彦、陈延学、刘国磊、梅良模。

[2] 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，专利号 ZL200710115811.6，授权日 2010年3月24日，发明人 颜世申、陈延学、刘国磊、梅良模、田玉峰、乔瑞敏。

[3] 非匀质Zn-Co-O磁光薄膜及其制备方法，专利号 ZL 200610043854.3，授权日2010年5月12日，发明人 陈延学、颜世申、张云鹏、刘国磊、梅良模。

[4] 非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜的制备方法，专利号 ZL200510043640.1，授权日 2007年11 月21日，发明人 颜世申、陈延学、宋红强、刘国磊、梅良模。

[5] 亚纳米复合制备氧化锌基磁性半导体材料的方法，专利号 ZL 03139039.0，授权日 2006年4 月26日，发明人 梅良模、颜世申、陈延学、任妙娟、季刚。